晶圓減薄的背面研磨工藝中(Backside Grinding, BG)，利用研磨輪，進行快速而精密之研磨 (Grinding) 后，再以蝕刻液進行表面微蝕刻，藉以去除因研磨產生的破壞層，并釋放應力。

通常在晶片封裝前，需要對晶片背面多余的基體材料去除一定的厚度，這一工藝過程稱之為晶片減薄。在后道制程階段，晶圓（正面已布好電路的硅片）在后續劃片、壓焊和封裝之前需要進行背面減薄加工以降低封裝貼裝高度，減小芯片封裝體積，改善芯片的熱擴散效率、電氣性能、機械性能及減小劃片的加工量。

一般研磨 (Wafer Thining/Non-TaikoNon-Taiko Grinding)流程

客戶晶圓完成入站檢驗后，依照客戶晶圓特性，與前段晶圓代工廠所生產的護層確認所需使用之膠帶后，進行膠帶貼附 (Taping)；接著，進行一般研磨 (Non-Taiko Grinding / Conventional Grinding)，并在完成一般研磨后，進行晶背濕蝕刻 (Backside Wet Etching)；最后，進行厚度量測 (Measurement) 后，出站檢驗。

1、入站檢驗(IQC)
2、膠帶貼附(Taping)
3、一般研磨(Wafer Thinning / Non-Taiko Grinding)
4、晶背濕蝕刻(Backside Wet Etching)
5、厚度量測(Measurement)
6、出站檢驗(OQC)

采用DISCO全自動機臺，可精準控制研磨

提供有槽式及單片式蝕刻機臺，可依客戶需求對N型或 P型晶圓提供亮面與粗面制程。
提供非接觸式光學量測，高精準度，完勝一般業界所使用之千分表 (Dial Gauge)。
工程師團隊背景多元化，有來自前段晶圓代工廠、晶圓薄化專家、后段封裝廠，熟悉前中后段之制程整合及分析，能協助客戶快速開發、解決問題、穩定量產。